核心能力
光蝕刻製程能力
光蝕刻製程簡介
隨著各種高速串流資料訊號廣泛使用，需要更高頻的時脈訊號源，但傳統機械（研磨）工法，已無法滿足更高的頻率需求，遂將半導體晶圓製程應用在石英晶片產業，使高頻化、小型化、高精度振盪器產品得以實現，工法如下
01
應用光蝕刻工法，可輕易在wafer狀態（晶圓級）下，一批次將數萬顆晶體振盪器完成厚度加工達到所需要的頻率。
02
同樣應用光蝕刻工法，在wafer狀態下，一批次將數萬顆晶體振盪器完成晶片外型，且用光蝕刻法輕易將產品小型化，尺寸一致性更高，精度更好。
03
接著用同樣工法完成發振區電極迴路。
Why Photolithography?
小型化
（目前可至0806）
採用半導體製程，滿足客戶小型化產品需求
高頻化
（max500MHz）
3D設計凹槽結構，強化晶片剛性滿足客戶高頻化需求
高精度
（Accuracy 2um）
批次生產，高對位精度產品，滿足客戶對電性及品質穩定度的需求
光蝕刻製程克服高頻晶片技術障礙
由於石英晶片機械加工極限厚度約30um
（55MHz），所以更高頻率晶片（一般指基本波60MHz以上），需採用光蝕刻製程克服技術障礙。
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石英晶片厚度越薄，晶體單元的頻率越高，傳統晶片採用機械加工厚度有侷限性，最薄約30um（55MHz左右振盪頻率）
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使用光蝕刻製程，可3D結構設計階梯結構及凹槽結構，強化晶片剛性，讓振盪區厚度不受侷限，使產品更易小型化、高頻化、特性更好。
由於更高頻率晶片厚度偏太薄，晶片剛性不夠，使用光蝕刻製程，結構可階梯結構3D化設計，讓振盪區厚度不受侷限，一般可達到3~30um的技術需求，如圖示：
傳統晶片 & 光蝕刻晶片比較
產品品質比較
採用光蝕刻製程在穩定度及精密度均優於傳統製程晶片，品質一致性高
光蝕刻製程優點：
1. 採用批次生產，穩定度高
2. 採用半導體製程滿足小型化、薄型化、高精密度產品需求
傳統晶片製程：
1. 此作法先將石英晶柱，經2次線切割形成單體小晶片
2. 單體晶片再經研磨、斜面加工、組裝鍍膜，變異度高
3. 不易進行薄型化、小型化精密加工
產品電性比較
採用光蝕刻製程在電性表現上優於傳統製程晶片，因為光蝕刻結構的Mesa
AT晶片，具有以下特點：
1. 可精確掌控晶片尺寸
2. 3D結構設計
使得每個石英晶片的特性都可達到非常穩定的一致性，所以頻率特性較傳統晶片穩定，如圖
製程綜合比較
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尺寸精度1~3μm30~50μm
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石英晶片加工厚度極限3um30um
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石英晶片結構設計3D2D
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石英晶片高頻化容易(振盪頻率可達到500MHz)不容易(振盪頻率極限60MHz)
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石英晶片小型化容易(目前可達到size:0806)不容易(極限size:1612)
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產品穩定度佳較差