核心能力
光蚀刻制程能力
光蚀刻制程简介
随着各种高速串流资料讯号广泛使用，需要更高频的时脉讯号源，但传统机械（研磨）工法，已无法满足更高的频率需求，遂将半导体晶圆制程应用在石英晶片产业，使高频化、小型化、高精度振荡器产品得以实现，工法如下
01
应用光蚀刻工法，可轻易在wafer状态（晶圆级）下，一批次将数万颗晶体振荡器完成厚度加工达到所需要的频率。
02
同样应用光蚀刻工法，在wafer状态下，一批次将数万颗晶体振荡器完成晶片外型，且用光蚀刻法轻易将产品小型化，尺寸一致性更高，精度更好。
03
接着用同样工法完成发振区电极回路。
Why Photolithography?
小型化
（目前可至0806）
采用半导体制程，满足客户小型化产品需求
高频化
（max500MHz）
3D设计凹槽结构，强化晶片刚性满足客户高频化需求
高精度
（Accuracy 2um）
批次生产，高对位精度产品，满足客户对电性及品质稳定度的需求
光蚀刻制程克服高频晶片技术障碍
由于石英晶片机械加工极限厚度约30um
（55MHz），所以更高频率晶片（一般指基本波60MHz以上），需采用光蚀刻制程克服技术障碍。
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石英晶片厚度越薄，晶体单元的频率越高，传统晶片采用机械加工厚度有局限性，最薄约30um（55MHz左右振荡频率）
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使用光蚀刻制程，可3D结构设计阶梯结构及凹槽结构，强化晶片刚性，让振荡区厚度不受局限，使产品更易小型化、高频化、特性更好。
由于更高频率晶片厚度偏太薄，晶片刚性不够，使用光蚀刻制程，结构可阶梯结构3D化设计，让振荡区厚度不受局限，一般可达到3~30um的技术需求，如图示：
传统晶片 & 光蚀刻晶片比较
产品品质比较
采用光蚀刻制程在稳定度及精密度均优于传统制程晶片，品质一致性高
光蚀刻制程优点：
1. 采用批次生产，稳定度高
2. 采用半导体制程满足小型化、薄型化、高精密度产品需求
传统晶片制程：
1. 此作法先将石英晶柱，经2次线切割形成单体小晶片
2. 单体晶片再经研磨、斜面加工、组装镀膜，变异度高
3. 不易进行薄型化、小型化精密加工
产品电性比较
采用光蚀刻制程在电性表现上优于传统制程晶片，因为光蚀刻结构的Mesa
AT晶片，具有以下特点：
1. 可精确掌控晶片尺寸
2. 3D结构设计
使得每个石英晶片的特性都可达到非常稳定的一致性，所以频率特性较传统晶片稳定，如图
制程综合比较
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尺寸精度1~3μm30~50μm
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石英晶片加工厚度极限3um30um
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石英晶片结构设计3D2D
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石英晶片高频化容易(振荡频率可达到500MHz)不容易(振荡频率极限60MHz)
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石英晶片小型化容易(目前可达到size:0806)不容易(极限size:1612)
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产品稳定度佳较差